摘要:

隨著納米材料的廣泛應(yīng)用,越來越多的納米材料會(huì)泄露到水環(huán)境中,但目前關(guān)于納米材料對(duì)混凝過程的影響還缺乏充分的研究。針對(duì)不同濁度,不同納米SiO2濃度,不同pH以及腐殖酸對(duì)混凝去除Pb2+的影響進(jìn)行了一系列的研究。結(jié)果表明,在低投加量(40mg/L)條件下,Pb2+的去除率受濁度影響較大,然而在高投加量(80mg/L)條件下,Pb2+的去除率受濁度的影響反而較小,且隨著濁度從15.0NTU增加到90.0NTU,Pb2+的去除率從70.172%下降到63.925%。當(dāng)濁度為45.0NTU,投加量為40mg/L時(shí),鉛離子的去除率在SiO2投加量達(dá)到0.8mg/L時(shí)達(dá)到最高(92.34%)。由于在低濁度條件下絮體形成不充分,以至于生成的絮體對(duì)SiO2的吸附去除率較低,所以吸附在SiO2表面的Pb2+會(huì)懸浮在溶液體系中,造成Pb2+去除率的下降。隨著pH的升高,Pb2+去除率呈先升高后降低的趨勢(shì),且在偏堿性條件下達(dá)到最高。pH對(duì)Pb2+去除率的影響主要體現(xiàn)在其對(duì)納米SiO2表面電荷的影響,SiO2表面負(fù)電荷增多可有效提高Pb2+的去除率,說明納米SiO2的吸附作用在去除Pb2+的過程中起重要的作用。在高混凝劑投加量(80.0mg/L)下腐殖酸對(duì)Pb2+的去除有促進(jìn)作用,且當(dāng)腐殖酸存在時(shí),SiO2的含量對(duì)Pb2+的去除率無明顯影響。

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