摘要：為優(yōu)化低溫等離子體反應(yīng)器設(shè)計(jì)、提高NO分解率,在低放電電壓下通過改變介質(zhì)阻擋放電參數(shù)(放電電壓、介質(zhì)材料、放電間隙等)考察其對分解NO的影響.研究結(jié)果表明:在低電壓范圍條件下(≤6.5 kV),放電電壓對提高NO分解率的效果是非線性的,其影響隨電壓的升高而減弱;選擇介電常數(shù)較大的介質(zhì)材料更易獲得較高的分解率;當(dāng)反應(yīng)器其它特征參數(shù)確定后,放電間隙并非越小越好,而是存在一個(gè)最佳值;實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)選用二次電子發(fā)射系數(shù)較大的電極材料;NTP反應(yīng)器中加入填充材料不僅具有吸附和存儲性能,還具有介質(zhì)阻擋放電的功能,選擇適合的填充材料能更大程度地提高能量利用率,提高NO分解率.

關(guān)鍵詞：低溫等離子體  介質(zhì)阻擋放電  分解NO  影響因素  填充材料

近年來，低溫等離子體（Ｎｏｎ ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｌａｓｍａ，ＮＴＰ）在氣態(tài)污染控制，尤其是ＮＯ 脫除方面的應(yīng)用逐漸引起了人們的重視（Ｈａｃｈａｍ ｅｔ ａｌ． ， ２０００）． ＮＴＰ主要是通過氣體放電而產(chǎn)生，放電形式主要包括電暈放電、輝光放電和介質(zhì)阻擋放電等（胡建杭等，２００７）． 因介質(zhì)阻擋放電（ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ＢａｒｒｉｅｒＤｉｓｃｈａｒｇｅ，ＤＢＤ）可在常溫常壓下產(chǎn)生大量低溫等離子體，使其具有良好的工業(yè)應(yīng)用前景． 目前，介質(zhì)阻擋放電在臭氧合成、環(huán)境保護(hù)、材料表面改性等方面已得到了較為廣泛的應(yīng)用（Ｋｏｇｅｌｓｃｈａｔｚ，２００３；Ｋｕｎｈａｒｄｔ，２００２；竹濤等，２００９；Ｆａｎｇ ｅｔ ａｌ． ，２００３）．

目前，利用低溫等離子體脫除ＮＯ 主要有以下幾種方法：ＮＴＰ 分解法、ＮＴＰ 協(xié)同ＳＣＲ 法、ＮＴＰ 協(xié)同催化氧化法等． 近年來，針對ＤＢＤ ＮＴＰ 分解脫除ＮＯ的研究，主要從以下兩個(gè)方面考察其對ＮＯ 分解脫除的影響：一是電介質(zhì)材料與結(jié)構(gòu)因素，包括電介質(zhì)材料的性質(zhì)、介電常數(shù)及放電間隙距離等；二是供電電源因素，包括放電電壓、頻率等（王燕等，２００２）． 但在已有的這些研究中，放電電壓通常在１０ ～３０ ｋＶ，能耗較大，實(shí)際應(yīng)用價(jià)值受限． 為此，本文從兼顧ＮＯ 高脫除效率和降低能耗的目標(biāo)出發(fā)，系統(tǒng)考察了低壓（４ ～６． ５ ｋＶ）下介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生等離子體時(shí)放電電壓、放電間隙、填充材料等因素對分解脫除ＮＯ 的影響．

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