摘要:針對(duì)半導(dǎo)體材料、器件生產(chǎn)工藝中的廢氣和廢水的治理 ,介紹了三種不同的方法和相關(guān)設(shè)備。①利用碘鹽、銅鹽和錳鹽以及多級(jí)逆向噴淋的設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室MOVPE工藝尾氣及砷化鎵材料制備中砷烷、磷烷污染的治理。②生產(chǎn)規(guī)模的半導(dǎo)體材料砷化鎵 ,磷化姻 ,重?fù)缴楣鑶尉Р牧霞捌骷墓に囍?,腐蝕間排放的廢氣中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根離子的治理。用橢圓隔板式噴淋吸收塔或雙塔式噴淋吸收設(shè)備 ,用氧化劑及堿液吸收的治理方法。③治理半導(dǎo)體工藝廢水中砷、總磷、各種酸及重金屬等的污染。用碳酸鈣中和后 ,加鐵鹽經(jīng)絮凝沉降一體化裝置治理廢水。經(jīng)治理后的廢氣、廢水經(jīng)環(huán)保部門檢測均達(dá)到國家排放標(biāo)準(zhǔn)[1～ 3] 

關(guān)鍵詞:廢水,廢氣,治理,污染,半導(dǎo)體

1 前言

當(dāng)今世界各國面臨的重大社會(huì)問題, 集中表現(xiàn)為糧食、能源、人口、資源、環(huán)境等五個(gè)方面。我國的大氣污染嚴(yán)重, 降塵量是全球陸地平均降塵量的一倍多, 二氧化硫排放量高出全球陸地降平均排放量的 40% 。隨著高新技術(shù)的發(fā)展, 給環(huán)境造成新的 污 染, ( M OVPE) 是一類非常重要的外延生長方法, 是近幾年來發(fā)展起來的生長電子材料的新工藝, 它廣泛應(yīng)用于 ó-  族和 ò- 族化合物半導(dǎo)體及其固溶體的生長。它使用 ó 族、ò 族的有機(jī)金屬化合物和 族、  族的氫化物或有機(jī)金屬化合物為源, 可以得到平滑的生長界面并可以控制幾百納米或更薄的外延層, 能生長量子阱或更低維結(jié)構(gòu)的超晶格薄層材料, 制造新一代高速電子器件、激光器、探測器等。MOVPE 技術(shù)容易擴(kuò)大為工業(yè)生產(chǎn), 所以具有很大的吸引力。有機(jī)金屬氣相外延工藝也因而被廣泛的使用。但是 MOVPE 生長技術(shù)使用的大量劇毒氣體隨著工藝尾氣排放到大氣中, 污染環(huán)境,嚴(yán)重危害人們的身心健康。又如在材料和器件生產(chǎn)過程中產(chǎn)生大量含有毒物質(zhì)的廢氣如砷烷、磷烷、鍺烷、氯化氫、二氧化硫、三氧化硫、一氧化氮、二氧化氮、氫氟酸、硫酸、鹽酸、硝酸、砷、磷及其化合物等等。在廢水中也含砷、磷及其化合物、洗滌劑及重金屬 Cu、Cr、Cd 等。這些有毒物質(zhì)如不經(jīng)治理排放到大氣和水體中, 則造成嚴(yán)重的污染。所以研究一種控制半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中產(chǎn)生污染的有效技術(shù)。對(duì)污染進(jìn)行全面的綜合治理是有重要意義的。

2 半導(dǎo)體材料制備工藝的原理及流程根據(jù)熱力學(xué)研究[ 4~ 6]

在 M OVPE 的尾氣中As 的存在形態(tài)為 As4, AsH3, As2, 和 As, 而 P 的存在形態(tài)為 P4, PH3, P2, 和 P

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