新型光化學(xué)氣相沉積薄膜制備系統(tǒng)
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人氣：1594 發(fā)布時(shí)間：2009-05-08 10:53 關(guān)鍵詞：其它 產(chǎn)品型號(hào)： 應(yīng)用領(lǐng)域：水處理 產(chǎn)品價(jià)格：面議 想了解更多產(chǎn)品詳情，請(qǐng) |
準(zhǔn)分子光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)：
1、高效單色準(zhǔn)分子紫外光源
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有為高效準(zhǔn)分子真空紫外光源提供高光強(qiáng)的單色紫外光能有效實(shí)現(xiàn)在傳統(tǒng)紫外光源下根本不能產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)。
2、化學(xué)柔性和機(jī)械無(wú)損加工過(guò)程，不象等離子體方法和高溫?zé)岱椒▊δけ砻嫘阅堋?/p>
3、低溫成膜過(guò)程，化學(xué)反應(yīng)活化能低，具有極快的反應(yīng)速率。
4、成膜均勻，薄膜質(zhì)量和性能比擬和超過(guò)熱化學(xué)氣相沉積法。
5、光源可瞬間開(kāi)啟和熄滅
可根據(jù)需要發(fā)射所需光能,且能隨時(shí)瞬間開(kāi)啟熄滅,不需要用快門(mén)。
6、高效節(jié)能，安裝靈活，超作簡(jiǎn)便。
二、主要技術(shù)指標(biāo)*:
1、光源腔：準(zhǔn)分子真空紫外（按用戶要求配置）
2、反應(yīng)腔/樣品臺(tái)尺寸：2英寸或4英寸晶圓
3、極限真空度：≤7×10－7mbar（按用戶要求配置）
4、沉積溫度：200-450oC
5、溫度精度：±2℃
6、膜厚均勻度：≤±3％
7、工藝壓強(qiáng)范圍：0.1-3 mbar
8、參考生長(zhǎng)速度：6 nm/min（Ta2O5膜）
9、氣體：4-10路，質(zhì)量流量控制器控制
10、真空系統(tǒng)配置：分子泵+機(jī)械泵（可選）
11、樣品臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)方式：靜止/運(yùn)動(dòng)（可選）
12、冷卻系統(tǒng)：水冷
三、應(yīng)用領(lǐng)域：
1、 用于制備半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)所須的SiO2，Si3N4薄膜。特點(diǎn)是成膜溫度底、速度快、薄膜質(zhì)量好。尤其適用于高性能薄膜研究及新材料科學(xué)研究工作。
2、Si和SiGe的光氧化。
3、高和低介電常數(shù)（high-k，low-k）薄膜的制備：Ta2O5，TiO2，PZT，ZrO2，HfO2，TaON和HfON等。
4、薄膜表面改性,光退火.
四、產(chǎn)品說(shuō)明：
1、光源腔：配置不同光源或其組合。
1、反應(yīng)物母體傳送噴射系統(tǒng)。
1、反應(yīng)室：各種薄膜的沉積。
2、真空獲得及測(cè)量系統(tǒng)：提供材料沉積工藝條件。
3、電器控制系統(tǒng)：精密控制溫度、轉(zhuǎn)速。
4、氣路控制系統(tǒng)。
5、此設(shè)備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便等優(yōu)點(diǎn)，配備高精度控制基片加熱臺(tái)、自動(dòng)控溫、具有無(wú)污染、放氣量小和溫度均勻等特點(diǎn)。
